單晶硅壓力變送器的產(chǎn)品詳細(xì)介紹:
采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器,單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面,實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離,玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣,提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力,可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的化學(xué)場(chǎng)合和機(jī)械負(fù)荷,同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁干擾能力,適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測(cè)量應(yīng)用。
單晶硅技術(shù)壓力傳感器的優(yōu)勢(shì):
雙膜片過(guò)載防護(hù)結(jié)構(gòu);
集成電路與表面封裝技術(shù)的信號(hào)變送模塊;
顯示模塊可355°旋轉(zhuǎn);
殼體外隔離磁感應(yīng)三按鍵參數(shù)設(shè)置;
耐瞬變電壓保護(hù)端子模塊。
特征:
測(cè)量范圍:200Pa-10MPa;
輸出信號(hào):4-20mA,4~20mA/HART;
參考精度:±0.2%,±0.1%,±0.05%URL;
介質(zhì)溫度:-40-120℃;
測(cè)量介質(zhì):液體、氣體或蒸汽;
電源:4~20mA二線制,10.5-55vdc、4~20mA+HART二線制,16.5-55vdc;
膜片材質(zhì):316L不銹鋼,哈氏合金C;
年穩(wěn)定性:±0.2%URL/5年;
過(guò)程連接:M20*1.5(M),1/2-14NPT(F),1/4-18NPT(F);
防護(hù)等級(jí):IP67;
認(rèn)證:CE認(rèn)證,防爆認(rèn)證。
應(yīng)用領(lǐng)域:
過(guò)程控制系統(tǒng);
石油工業(yè);
化工行業(yè)。
采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器,單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面,實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離,玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣,提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力,可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的化學(xué)場(chǎng)合和機(jī)械負(fù)荷,同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁干擾能力,適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測(cè)量應(yīng)用。
單晶硅技術(shù)壓力傳感器的優(yōu)勢(shì):
雙膜片過(guò)載防護(hù)結(jié)構(gòu);
集成電路與表面封裝技術(shù)的信號(hào)變送模塊;
顯示模塊可355°旋轉(zhuǎn);
殼體外隔離磁感應(yīng)三按鍵參數(shù)設(shè)置;
耐瞬變電壓保護(hù)端子模塊。
特征:
測(cè)量范圍:200Pa-10MPa;
輸出信號(hào):4-20mA,4~20mA/HART;
參考精度:±0.2%,±0.1%,±0.05%URL;
介質(zhì)溫度:-40-120℃;
測(cè)量介質(zhì):液體、氣體或蒸汽;
電源:4~20mA二線制,10.5-55vdc、4~20mA+HART二線制,16.5-55vdc;
膜片材質(zhì):316L不銹鋼,哈氏合金C;
年穩(wěn)定性:±0.2%URL/5年;
過(guò)程連接:M20*1.5(M),1/2-14NPT(F),1/4-18NPT(F);
防護(hù)等級(jí):IP67;
認(rèn)證:CE認(rèn)證,防爆認(rèn)證。
應(yīng)用領(lǐng)域:
過(guò)程控制系統(tǒng);
石油工業(yè);
化工行業(yè)。